| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 功耗 | 300 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 上升时间 | 5.4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1850pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 11.33 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
●UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.17 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB15N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 3.4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB15N50, 15 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 100V ， 57A ， 15米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 57A, 15mヘ
Hirose Electric（广濑）
FD型连接器用于带状电缆 FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE
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