FDC6333C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TSOT-23-6
描述:	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6333C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V
PDF文件:	FDC6333C 数据手册 (8 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

FDC6333C 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDC6333C 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	6 Pin
额定电流	2.50 A
封装	TSOT-23-6
通道数	2 Channel
针脚数	6 Position
漏源极电阻	0.095 Ω
极性	N-Channel, P-Channel
功耗	960 mW
阈值电压	1.8 V
输入电容	185 pF
栅电荷	4.10 nC
漏源极电压(Vds)	30 V
漏源击穿电压	30.0 V
连续漏极电流(Ids)	2.50 A, 2.00 A
上升时间	13.0 ns
输入电容值(Ciss)	282pF @15V(Vds)
额定功率(Max)	700 mW
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	0.96 W

查看数据手册 >

FDC6333C 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	3 mm
宽度	1.7 mm
高度	1 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FDC6333C 符合标准

FDC6333C 海关信息

FDC6333C 概述

FDC6333C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDC6333C 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.19 MByte

FDC6333C 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDC6333C 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

FDC6333 数据手册

FDC6333C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6333C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V

FDC6333C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号