类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
封装 | TSOT-23-6 |
针脚数 | 6 Position |
漏源极电阻 | 0.082 Ω |
功耗 | 960 mW |
阈值电压 | 1.8 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 220pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 700 mW |
下降时间 | 2 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 960 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.7 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor
●PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
●最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。
●PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6561AN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.082 ohm, 10 V, 1.8 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6561AN, 2.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
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