类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SSOT-6 |
通道数 | 2 Channel |
漏源极电阻 | 95 mΩ |
极性 | N-CH |
功耗 | 900 mW |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.5A |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.6 mm |
高度 | 1.1 mm |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6561AN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.082 ohm, 10 V, 1.8 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6561AN, 2.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
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