| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.033 Ω |
| 功耗 | 36 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 660pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 下降时间 | 4 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 36 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.33 MByte
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.15 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ N-Channel, Logic Level, PowerTrench? MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
FDD6612A 系列 30 V 20 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
