| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 66.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.008 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 70 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | -55.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 66.0 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1755pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 下降时间 | 19 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.2W (Ta), 63W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 6.6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.010Ω/Ohm @1.3A, 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 7W Description & Applications| • 66 A, 30 V. R DS(on)= 0.008 Ω @ V GS= 10 V RDS(on)= 0.010 Ω @ V GS = 4.5 V. • Low gate charge (35nC typical). • Fast switching speed. • High performance trench technology for extremely low RDS(on) 描述与应用| •66 A，30 V. R DS（ON）= 0.008Ω@ V GS = 10 V RDS（ON）= 0.010Ω@ V GS= 4.5 V。 •低栅极电荷（35NC典型）。 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极 低RDS（on）
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N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
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PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6670A, 66 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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