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IPB60R199CP
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IPB60R199CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:INFINEON  IPB60R199CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPB60R199CP 数据手册 (10 页)
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IPB60R199CP 数据手册 (10 页)
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IPB60R199CP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.18 Ω
极性N-Channel
功耗139 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)16A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)1520pF @100V(Vds)
额定功率(Max)139 W
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)139W (Tc)
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IPB60R199CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPB60R199CP 数据手册

IPB60R199CP 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.57 MByte
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