| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 60.0 A |
| 封装 | SOT-669 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 30 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
| 上升时间 | 60 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7750pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 30 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 30000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 60A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | ID = 30 A, VGS = 10 V RDS=2.1~2.6mΩ ID = 30 A, VGS = 4.5 V RDS=2.8~4.1mΩ 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 耗散功率Pd Power dissipation | 30W 描述与应用 Description & Applications | 硅N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管 电源转换装置 4.5 V驱动 低驱动电流 高密度安装 低导通电阻 RDS(on)= 2.1 mΩtyp。(Vgs = 10 V)
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硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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