类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 84.0 A |
封装 | TO-252-3 |
漏源极电阻 | 8.00 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 83W (Ta) |
输入电容 | 3.84 nF |
栅电荷 | 37.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 84.0 A |
上升时间 | 13.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 3845pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.6 W |
耗散功率(Max) | 83W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6670A, 66 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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