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IXFN170N30P
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IXFN170N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXFN170N30P 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXFN170N30P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
极性N-CH
功耗890W (Tc)
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)138A
上升时间29 ns
输入电容值(Ciss)20000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)890 W
下降时间16 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)890W (Tc)
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IXFN170N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN170N30P 数据手册

IXFN170N30P 数据手册
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