| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 94.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0047 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 80 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 输入电容 | 2.52 nF |
| 栅电荷 | 46.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 94.0 A |
| 上升时间 | 106 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2525pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 80 W |
| 下降时间 | 41 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 80W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 9.4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.0057Ω/Ohm @3.5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 80W Description & Applications| N-Channel PowerTrench ®MOSFET 30V, 94A, 5.7mΩ General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed. Features • rDS(ON) = 5.7mW, VGS = 10V, ID = 35A • rDS(ON)= 6.8mW, VGS = 4.5V, ID = 35A • High performance trench technology for extremely low DS(ON) • Low gate charge • High power and current handling capability 描述与应用| N-沟道PowerTrench®MOSFET 30V，94A，5.7mΩ 概述 这N沟道MOSFET已专门设计 提高整体效率的DC / DC转换器 同步或传统开关PWM 控制器。它已被优化的低门电荷，低 RDS（ON）和快速开关速度。 •高性能沟道技术极低 DS（ON） •低栅极电荷 •高功率和电流处理能力
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