类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电压(DC) | -30.0 V |
额定电流 | -3.00 A |
封装 | SOIC-8 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.069 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 1.6 W |
输入电容 | 455 pF |
栅电荷 | 9.30 nC |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
栅源击穿电压 | ±25.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.00 A |
上升时间 | 31 ns |
输入电容值(Ciss) | 455pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.6 W |
下降时间 | 20 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.6W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 4.9 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.575 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFS2P753Z 晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -30 V, 0.069 ohm, -10 V, -2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDFS2P753Z, 3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
集成的P沟道MOSFET PowerTrench㈢和肖特基二极管-30V , -3A ,115Mヘ Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115mヘ
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