| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 3.90 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 2.8 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 130 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.90 A |
| 上升时间 | 45 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 880pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.13 W |
| 下降时间 | 35 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB4N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 800 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB4N80TM, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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