| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -1.20 A |
| 封装 | SC-70-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.135 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 750 mW |
| 阈值电压 | 900 mV |
| 输入电容 | 330 pF |
| 栅电荷 | 3.30 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | -200 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.20 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 330pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 480 mW |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 750mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -8V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 250mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 750mW/0.75W Description & Applications| P-Channel 2.5V Specified Power Trench MOSFET General Description This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor"s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics applications. Applications • Load switch • Power management • DC/DC converter Features • Low gate charge. • High performance trench technology for extremely low RDS(ON). • Compact industry standard SC70-6 surface mount package. 描述与应用| P沟道2.5V额定功率沟道MOSFET 概述 P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻，同时保持出色的开关性能低栅极电荷。这些器件非常适合用于便携式电子产品应用。 应用 •负荷开关 •电源管理 •DC/ DC转换器 特点 •低栅极电荷。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON）。 •紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG312P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.2 A, -20 V, 0.135 ohm, -4.5 V, 900 mV
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG312P, 1.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
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