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NSS12100UW3TCG
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NSS12100UW3TCG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:WDFN-3
描述:12 V ， 1 A，低VCE （ sat）的PNP晶体管 12 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
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典型应用电路图在1 页
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NSS12100UW3TCG 数据手册 (5 页)
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NSS12100UW3TCG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率200 MHz
引脚数3 Pin
封装WDFN-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
极性PNP
功耗1.1 W
输入电容40 pF
上升时间90 ns
击穿电压(集电极-发射极)12 V
集电极最大允许电流1A
最小电流放大倍数100 @500mA, 2V
最大电流放大倍数200 @10mA, 2V
额定功率(Max)740 mW
直流电流增益(hFE)75
下降时间100 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1100 mW
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NSS12100UW3TCG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NSS12100UW3TCG 数据手册

NSS12100UW3TCG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.06 MByte
NSS12100UW3TCG 其他数据使用手册
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NSS12100UW3TCG 数据手册
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12 V ， 1 A，低VCE （ sat）的PNP晶体管 12 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
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