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FDG6318P
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FDG6318P 技术参数、封装参数

FDG6318P 外形尺寸、物理参数、其它

FDG6318P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.72 MByte

FDG6318 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FET,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET FDG6318PZ, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDG6318P, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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