Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor（安森美） > FDG6322C Datasheet 文档
FDG6322C
来自 AiPCBA

FDG6322C 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SC-70-6
描述:ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6322C, 220 mA，410 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
PDF文件:FDG6322C 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FDG6322C 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDG6322C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SC-70-6
针脚数6 Position
漏源极电阻2.6 Ω
功耗300 mW
阈值电压850 mV
漏源极电压(Vds)25 V
输入电容值(Ciss)9.5pF @10V(Vds)
额定功率(Max)300 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
查看数据手册 >

FDG6322C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2 mm
宽度1.25 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

FDG6322C 数据手册

FDG6322C 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.18 MByte
FDG6322C 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.31 MByte

FDG6322 数据手册

FDG6322C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6322C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mV
FDG6322C 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6322C, 220 mA，410 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
FDG6322C_D87Z 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FDG6322C_D87Z 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet