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FDMB3800N
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FDMB3800N 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:MLP-8
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.8 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.9 V
PDF文件:FDMB3800N 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
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FDMB3800N 数据手册 (7 页)
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FDMB3800N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装MLP-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.032 Ω
功耗1.6 W
阈值电压1.9 V
漏源极电压(Vds)30 V
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)465pF @15V(Vds)
额定功率(Max)750 mW
下降时间2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1600 mW
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FDMB3800N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDMB3800N 数据手册

FDMB3800N 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.45 MByte
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