类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
封装 | WDFN-6 |
针脚数 | 6 Position |
漏源极电阻 | 0.0236 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 900 mW |
阈值电压 | 810 mV |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
上升时间 | 7.1 ns |
输入电容值(Ciss) | 800pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.4 W |
下降时间 | 6 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.4W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2 mm |
宽度 | 2 mm |
高度 | 0.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.49 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.36 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA430NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.0236 ohm, 4.5 V, 810 mV
ON Semiconductor(安森美)
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 5A, MicroFET, 整卷
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件