| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 140 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 90 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 1000 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.50 A |
| 上升时间 | 17.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1000pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 90 W |
| 下降时间 | 8.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 90W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP17NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 250 V, 140 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP17NK40ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 250 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.003 ohm, 10 V, 4.5 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道400V - 0.23ohm - 15A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 400V - 0.23ohm - 15A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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