| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PowerWDFN-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 1.5 Ω |
| 功耗 | 42 W |
| 阈值电压 | 3.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 42 W |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 42000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 3 mm |
| 高度 | 0.95 mm |
QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
●它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.42 MByte
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.39 MByte
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 1.68 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC2523P 晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -150 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.8 V
ON Semiconductor（安森美）
FDMC2523P 系列 150 V 1.5 Ohm 表面贴装 P 沟道 QFET - Power33
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道QFET -150V ， -3A ， 1.5ヘ P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道QFET® -150V ， -3A ， 1.5I © P-Channel QFET® -150V, -3A, 1.5Ω
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