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FS50R12KT3BOSA1
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FS50R12KT3BOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:AG-ECONO2-6
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
PDF文件:FS50R12KT3BOSA1 数据手册 (8 页)
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FS50R12KT3BOSA1 数据手册 (8 页)
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FS50R12KT3BOSA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数28 Pin
封装AG-ECONO2-6
功耗280 W
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)3.5nF @25V
额定功率(Max)280 W
工作温度(Max)125 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)280000 mW
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FS50R12KT3BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 125℃
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FS50R12KT3BOSA1 数据手册

FS50R12KT3BOSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.44 MByte
FS50R12KT3BOSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
FS50R12KT3BOSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
FS50R12KT3BOSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 2.24 MByte
FS50R12KT3BOSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
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