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FDMC86262P
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FDMC86262P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:QFN
描述:FDMC86262P 系列 -150 V -2A 307 mOhm P-沟道 PowerTrench Mosfet - Power33
PDF文件:FDMC86262P 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FDMC86262P 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装QFN
针脚数8 Position
漏源极电阻0.241 Ω
功耗2.3 W
输入电容632 pF
上升时间2.2 ns
输入电容值(Ciss)632pF @75V(Vds)
下降时间5.6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2300 mW
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FDMC86262P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.3 mm
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FDMC86262P 数据手册

FDMC86262P 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.36 MByte
FDMC86262P 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.29 MByte

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