FDMS039N08B 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	Power-56-8
描述:	PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDMS039N08B 数据手册 (9 页)

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FDMS039N08B 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
封装	Power-56-8
极性	N-CH
功耗	2.5 W
漏源极电压(Vds)	80 V
连续漏极电流(Ids)	19.4A
输入电容值(Ciss)	7600pF @40V(Vds)
额定功率(Max)	2.5 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	104 W

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FDMS039N08B 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	5 mm
宽度	6 mm
高度	1.05 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDMS039N08B 符合标准

FDMS039N08B 概述

FDMS039N08B 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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FDMS039N08 数据手册

FDMS039N08B 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDMS039N08B 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDMS039N08B: N 沟道，PowerTrench MOSFET，80V，100A，3.9m?

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