Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild（飞兆/仙童） > FDMS3600S Datasheet 文档
FDMS3600S
来自 AiPCBA

FDMS3600S 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:PowerTDFN-8
描述:PowerTrench®功率级25 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench® Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
PDF文件:FDMS3600S 数据手册 (15 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FDMS3600S 数据手册 (15 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDMS3600S 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerTDFN-8
漏源极电阻0.0043 Ω
极性Dual N-Channel
功耗2.2 W
阈值电压1.8 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)15A/30A
输入电容值(Ciss)1680pF @13V(Vds)
额定功率(Max)1 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1 W
查看数据手册 >

FDMS3600S 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
宽度6 mm
高度1.05 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

FDMS3600S 数据手册

FDMS3600S 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
15 页 / 0.57 MByte
FDMS3600S 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
16 页 / 0.55 MByte
FDMS3600S 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
4 页 / 0.17 MByte

FDMS3600 数据手册

FDMS3600S 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench®功率级25 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench® Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
FDMS3600S 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
FDMS3600AS 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FDMS3600AS 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet