类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 250 V |
额定电流 | 14.0 A |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 110 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 55 W |
漏源极电压(Vds) | 250 V |
漏源击穿电压 | 250 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 14.0 A |
上升时间 | 270 ns |
输入电容值(Ciss) | 2450pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 55 W |
下降时间 | 120 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 55W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF27P06 晶体管, MOSFET, P沟道, -17 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF27P06, 19 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor(安森美)
FQPF27N25: 功率 MOSFET,N 沟道,QFET,250 V,14 A,110 mΩ,TO-220F
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