类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-92-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 4.6 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 890 mW |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 380 mA |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 195pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 890 mW |
下降时间 | 15 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 890mW (Ta), 2.08W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Ammo Pack |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQN1N50CTA 晶体管, MOSFET, N沟道, 380 mA, 500 V, 4.6 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQN1N50CTA, 380 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-92封装
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
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