| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | TDFN-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0021 Ω |
| 功耗 | 104 W |
| 阈值电压 | 1.8 V |
| 输入电容 | 9420 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 9420pF @30V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 7.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 104 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 6 mm |
| 高度 | 1.05 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.35 MByte
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.4 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.44 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86500L 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.8 V
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 158 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500DC, 108 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
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