| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SuperSOT |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.7A |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359AN... 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 2.7A, SSOT
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359BN, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359AN, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359BN_F095 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359BN"F095 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.026Ω, 2.7A, SUPERSOT-3
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