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FZ1200R33HE3BPSA1
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FZ1200R33HE3BPSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:AG-IHVB190-3
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 2.7 V, 13 kW, 3.3 kV, Module
PDF文件:FZ1200R33HE3BPSA1 数据手册 (9 页)
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FZ1200R33HE3BPSA1 技术参数、封装参数

类型描述
封装AG-IHVB190-3
功耗13 kW
击穿电压(集电极-发射极)3300 V
输入电容值(Cies)210nF @25V
额定功率(Max)13000 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-50 ℃
耗散功率(Max)11000 mW
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FZ1200R33HE3BPSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 150℃
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FZ1200R33HE3BPSA1 数据手册

FZ1200R33HE3BPSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.58 MByte
FZ1200R33HE3BPSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
FZ1200R33HE3BPSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 6.73 MByte
FZ1200R33HE3BPSA1 产品描述及参数
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.03 MByte

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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 2.7 V, 13 kW, 3.3 kV, Module
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