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STL8N10F7
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STL8N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:PowerFLAT-8
描述:N 沟道 100 V 8 A 20 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3
PDF文件:STL8N10F7 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
引脚图
产品图
STL8N10F7 数据手册 (10 页)
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STL8N10F7 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerFLAT-8
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.017 Ω
功耗50 W
阈值电压4.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间17 ns
输入电容值(Ciss)2000pF @50V(Vds)
额定功率(Max)50 W
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.5W (Ta), 50W (Tc)
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STL8N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
高度0.95 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STL8N10F7 数据手册

STL8N10F7 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
10 页 / 0.17 MByte
STL8N10F7 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.5 MByte
STL8N10F7 产品封装文件
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14 页 / 0.59 MByte

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N 沟道 100 V 8 A 20 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3
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