| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 80.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.004 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 310 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 6.60 nF |
| 栅电荷 | 92.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 漏源击穿电压 | 75.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
| 上升时间 | 88 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6600pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 310 W |
| 下降时间 | 45 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 310000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道UltraFET沟槽MOSFET 75V ， 80A ， 4.7mз N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP047AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
FDP047AN08A0 系列 75 V 4.7 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-220AB
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