类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 75.0 V |
额定电流 | 80.0 A |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.004 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 310 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 6.60 nF |
栅电荷 | 92.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
漏源击穿电压 | 75.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
上升时间 | 88 ns |
输入电容值(Ciss) | 6600pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 310 W |
下降时间 | 45 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 310000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 9.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道UltraFET沟槽MOSFET 75V , 80A , 4.7mз N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP047AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
FDP047AN08A0 系列 75 V 4.7 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-220AB
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