类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 50.0 mA |
封装 | SOT-23-3 |
无卤素状态 | Halogen Free |
击穿电压 | -30.0 V |
漏源极电阻 | 100 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 225 mW |
输入电容 | 14 pF |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
栅源击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 50.0 mA |
击穿电压 | 30 V |
输入电容值(Ciss) | 14pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 225 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 225 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3.04 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1.01 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
N 通道 JFET,ON Semiconductor
●### JFET 晶体管
●一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
ON Semiconductor(安森美)
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MMBF4393LT1 N沟道结型场效应管 30v 5~30mA SOT-23 marking/标记 p6G 模拟开关
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MMBF4393LT1G 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET
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