| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.08 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 270 W |
| 阈值电压 | 2.6 V |
| 输入电容 | 1700 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 1200 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1700pF @400V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 270 W |
| 下降时间 | 28 ns |
| 工作温度(Max) | 200 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 270W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.75 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 20.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 200℃ (TJ) |
N 通道碳化硅 (SiC) MOSFET，STMicroelectronics
●碳化硅 (SiC) MOSFET 具有非常低的静电释放源接通电阻，用于 1200V 额定电压，并具有极佳的切换性能，可转换为更高效率和紧凑的系统。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS SCT30N120 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.6 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
SCT3030AL 系列 650 V 70 A 39 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
SCT3080KL 系列 1200 V 31 A 104 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
SCT3040KL 系列 1200 V 55 A 52 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
SCT3030KL 系列 1200 V 72 A 39 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
SCT3060AL 系列 650 V 39 A 78 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
SCT3022AL 系列 650 V 93 A 28.6 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08欧姆, 18V, 5.6 V
ST Microelectronics（意法半导体）
Panduit（泛达）
端子 Copper Compression T Splice, Long Barrel
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