| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 上升时间 | 147 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7080pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 268 W |
| 下降时间 | 114 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 268 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP047AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
FDP047AN08A0 系列 75 V 4.7 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-220AB
ON Semiconductor（安森美）
FDP047N10: 功率 MOSFET，N 沟道，QFET，100 V，164 A，4.7 mΩ，TO-220
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N08, 164 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor（安森美）
FDP047N08: N 沟道，PowerTrench MOSFET，75V，164A，4.7mΩ
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道UltraFET沟槽MOSFET 75V ， 80A ， 4.7mз N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
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