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FDP047N10
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FDP047N10 数据手册 (8 页)
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FDP047N10 技术参数、封装参数

FDP047N10 外形尺寸、物理参数、其它

FDP047N10 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.78 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.88 MByte

FDP047 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP047AN08A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FDP047AN08A0 系列 75 V 4.7 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-220AB
ON Semiconductor(安森美)
FDP047N10: 功率 MOSFET,N 沟道,QFET,100 V,164 A,4.7 mΩ,TO-220
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N08, 164 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor(安森美)
FDP047N08: N 沟道,PowerTrench MOSFET,75V,164A,4.7mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道UltraFET沟槽MOSFET 75V , 80A , 4.7mз N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
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