类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 250 V |
额定电流 | 33.0 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.094 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 235 W |
阈值电压 | 5 V |
输入电容 | 2.13 nF |
栅电荷 | 48.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 250 V |
漏源击穿电压 | 250 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 33.0 A |
上升时间 | 230 ns |
输入电容值(Ciss) | 2135pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 235 W |
下降时间 | 120 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 235W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.83 mm |
高度 | 9.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP33N25 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 94 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP33N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
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