| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 额定功率(Max) | 62 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 62 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Design |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon 分离式 IGBT 晶体管
●Infineon 分离式 IGBT 晶体管提供各种技术，如 NPT、Trenchstop™ 和 Fieldstop。它们可用于需要硬切换或软切换的许多应用，包括工业驱动器、UPS、变频器、家用电器和感应炉灶。一些器件包括反并联二极管或单片集成二极管。
●### IGBT 分立件和模块，Infineon
●绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.36 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
48 页 / 2 MByte
Infineon（英飞凌）
IGBT 分立，Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon（英飞凌）
SGD02N120 系列 1200 V 2 A 表面贴装 快速 IGBT - PG-TO-252-3
Infineon（英飞凌）
在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
Siemens Semiconductor（西门子）
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