| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 61.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.034 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 417 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 输入电容 | 3.38 nF |
| 栅电荷 | 75.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.10 A |
| 上升时间 | 215 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3380pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 417 W |
| 下降时间 | 170 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 417W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP61N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 200 V, 0.034 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP61N20, 61 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
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