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IXTH6N150
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IXTH6N150 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXTH6N150 数据手册 (6 页)
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IXTH6N150 数据手册 (6 页)
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IXTH6N150 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-247-3
极性N-CH
功耗540W (Tc)
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)1500 V
连续漏极电流(Ids)6A
输入电容值(Ciss)2230pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)540W (Tc)
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IXTH6N150 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTH6N150 数据手册

IXTH6N150 数据手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.12 MByte
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