| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SO-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 11 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 栅源击穿电压 | 10.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.5 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2010pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 11.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 16mΩ@ VGS = 4.5V, ID =9.5A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1~3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.5W Description & Applications| 30V N-Channel Power Trench Sync FET General Description The FDS6680S is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6680S includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology. The performance of the FDS6680S as the low-side switch in a synchronous rectifier is indistinguishable from the performance of the FDS6680 in parallel with a Schottky diode. Applications • DC/DC converter • Motor drives Features • Low gate charge • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • High power and current handling capability 描述与应用| 30V N沟道功率沟槽同步FET 概述 的的FDS6680S设计来取代单一的SO-8 MOSFET和肖特基二极管同步DC：DC电源。这30V MOSFET的设计最大限度地提高电源转换效率，提供了一个低RDS（ON）和低栅极电荷。 FDS6680S包括集成肖特基二极管采用飞兆半导体的单片SyncFET技术。 FDS6680S的性能，在同步整流，低侧开关并联一个肖特基二极管的性能FDS6680无法区分。 应用 •DC/ DC转换器 •电机驱动器 特点 •低栅极电荷 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •高功率和电流处理能力
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.7 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680A 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680A, 12.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680AS, 11.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild（飞兆/仙童）
30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
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