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FDS6912
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FDS6912 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6912  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 2 V
PDF文件:FDS6912 数据手册 (5 页)
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焊盘图
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FDS6912 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
通道数2 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.028 Ω
极性N-Channel, Dual N-Channel
功耗2 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±25.0 V
连续漏极电流(Ids)6.00 A
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)740pF @15V(Vds)
额定功率(Max)900 mW
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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FDS6912 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDS6912 数据手册

FDS6912 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
5 页 / 0.07 MByte
FDS6912 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.18 MByte
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