类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | DPAK-252 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 7.5A |
上升时间 | 8 ns |
输入电容值(Ciss) | 415pF @25V(Vds) |
下降时间 | 6 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 100000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5N20LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5NM50T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 500 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5NK40ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 400 V, 1.47 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5NM60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD5NM60-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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