| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 8.20 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 15.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 输入电容 | 2.81 nF |
| 栅电荷 | 25.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.90 A, 8.20 A |
| 上升时间 | 8.00 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 800pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能
●高性能通道技术，RDS（接通）极低
●SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管
●应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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