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IXFN120N20
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IXFN120N20 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN120N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 200 V, 17 mohm, 10 V, 4 V
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IXFN120N20 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流120 A
封装SOT-227-4
额定功率600 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.017 Ω
极性N-Channel
功耗600 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)120 A
上升时间55 ns
输入电容值(Ciss)9100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)600 W
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)600W (Tc)
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IXFN120N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN120N20 数据手册

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