| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -5.30 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.042 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 输入电容 | 528 pF |
| 栅电荷 | 10.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±25.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -5.30 A |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 528pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 9 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -25V 最大漏极电流IdDrain Current| -5.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 80mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -4A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1~-3V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.5W Description & Applications| 30V P-Channel Power Trench MOSFET General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V). Applications • Power management • Load switch • Battery protection Features • Low gate charge • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • High power and current handling capability 描述与应用| 30V P沟道功率沟槽MOSFET 概述 P沟道MOSFET是一种坚固的门版本飞兆半导体先进的功率沟槽过程。它已被优化需要给驱动器的额定电压（4.5V - 25V）的范围广泛的电源管理应用。 应用 •电源管理 •负荷开关 •电池保护 特点 •低栅极电荷 •开关速度快 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •高功率和电流处理能力
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9435A 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.3 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
FDS9435A 系列 30 V 50 mOhm P沟道 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
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