| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 280 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 2 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 280 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 280mA/0.28A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 2Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild"s proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications. High density cell design for low RDS(ON) Voltage controlled small signalswitch. Rugged and reliable. High saturation current capability. 描述与应用| N沟道增强型场效应晶体管 概述 这些N沟道增强型场效应晶体管 生产采用飞兆半导体专有的，高密度， DMOS技术。这些产品被设计成 最大限度地减少通态电阻，同时提供了坚固，可靠的， 和快速开关性能。它们可以被用来在大多数 应用需要高达400mA的DC，并且可以提供 脉冲电流高达2A。这些产品特别 适用于低电压，低电流应用，如小 伺服电机控制，功率MOSFET的栅极驱动器，以及其他 开关应用。 高密度电池设计的低RDS（ON） 电压控制小信号开关坚固，可靠。 高饱和电流能力
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS7002A 晶体管, MOSFET, N沟道, 280 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor（安森美）
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
National Semiconductor（美国国家半导体）
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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