类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 2 Ω |
功耗 | 0.3 W |
阈值电压 | 2.1 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
正向电压(Max) | 1.2 V |
输入电容值(Ciss) | 20pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 300 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 300 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.93 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS7002A 晶体管, MOSFET, N沟道, 280 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
National Semiconductor(美国国家半导体)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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