FDT459N 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-261-4
描述:	PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDT459N 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	30.0 V
额定电流	6.50 A
封装	TO-261-4
漏源极电阻	0.031 Ω
极性	N-Channel
功耗	3 W
阈值电压	1.6 V
输入电容	365 pF
栅电荷	12.0 nC
漏源极电压(Vds)	30 V
漏源击穿电压	30.0 V
栅源击穿电压	±20.0 V
连续漏极电流(Ids)	6.50 A
上升时间	8.2 ns
输入电容值(Ciss)	365pF @15V(Vds)
额定功率(Max)	1.1 W
下降时间	16 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	3W (Ta)

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FDT459N 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.7 mm
宽度	3.7 mm
高度	1.7 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDT459N 符合标准

FDT459N 海关信息

FDT459N 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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FDT459N 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.8 MByte

FDT459N 产品设计图

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1 页 / 0.06 MByte

FDT459 数据手册

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Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT459N, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装

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