| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.075 Ω |
| 功耗 | 2.2 W |
| 阈值电压 | 1.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 1.3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 234pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 1.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.7 mm |
| 宽度 | 6.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT86113LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.3 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86113LZ, 3.3 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
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